2인치 사파이어 웨이퍼 Sapphire Wafer (C-plane) 2 inch, 430 umT, SSP, 25개

사파이어 웨이퍼는 LED, 전력 반도체, 고주파 통신 소자 등 최첨단 전자 부품 제작에서 기판 소재로 활용됩니다. 2인치 크기의 기판은 소규모 공정 개발이나 특수한 디바이스 제작에 적합하며, 특히 C-plane 배향은 대표적인 성장 방향으로, 질화 알루미늄박막 및 질화 갈륨 에피택셜 성장에 널리 사용됩니다. 430 마이크로미터 두께는 기계적 강도와 열 팽창 특성을 조율하는 중간값으로, 후속 리소그래피 공정에서 발생할 수 있는 휨 현상을 최소화합니다. SSP 처리된 표면은 원자 단위의 평탄도를 제공하여 박막의 결함 밀도를 낮춥니다. 따라서 갈륨나이트라이드 계열 소자의 특성 평가를 목표로하는 연구 기관이나 소자 제조사에 적합한 재료입니다. 에피택셜 성장 공정의 정확도를 높이기 위해서는 기판의 표면 상태와 결정 방향이 일관성을 유지해야 합니다. 본 제품은 SSP 방식으로 한쪽 면을 연마 처리하여, 성장면의 거칠기를 제어하고 오염 입자를 차단하는 점이 특징입니다. 또한 두께 편차를 ±10 마이크로미터 이내로 보정하여 공정 파라미터의 재현성을 지원합니다. 25개 단위 포장은 실험실에서 배치를 나누어 진행할 경우 과잉 재고를 방지하며, 데이터 시트에 측정 수치를 기재하여 로트 간 편차를 확인할 수 있게 합니다. 각 웨이퍼는 테두리의 오리엔테이션 플랫을 기준으로 방향성이 정렬되어 있으며, 카세트 랙에 보관 가능한 형태로 출고됩니다. 다만, 기판 두께가 얇기 때문에 진공 흡착 시 압력을 조절하지 않으면 크랙이 발생할 가능성이 있습니다. 또한 보관 중 수분 흡착을 억제하기 위해 포장 백 내에 실리카겔이 포함되어 있으나, 개봉 후 질소 퍼지 환경을 권장합니다. 이러한 핸들링 지침을 준수하면 LED 성장용 GaN 박막의 광학적 특성을 일관된 수준으로 유지할 수 있는 기판입니다.